晶体生长炉 KX320(A)MCZ

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参数特征

型号: KX320A)MCZ

炉室内径:φ1275mm;

副室内径:φ400mm

副室高度:3500 ~4500mm可订制;

喉口直径:φ400mm

籽晶提升速度:0~508mm/hr or ± 0.25 mm/hr,两者取其大;

籽晶提升快速(标称):400mm/min

籽晶转速及精确值:0~30 RPM±1%S.P, or ±0.05RPM,两者取其大;

坩埚提升速度及精确值:0-127 mm/hr ± 1% S.P,   or ± 0.25 mm/hr,两者取其大;

坩埚提升快速(标称)127mm/min

坩埚转速及精确值:0-20 RPM ± 1% S.P , or± 0.03 RPM ,两者取其大;

电源类型:IGBT,可选配带谐波治理功能;

过滤罐:可选自清洁型、两个并联安装等配置

主泵:干式真空泵(可变频),副泵:油泵/一拖多干式真空泵;

磁场选配范围:拉直径≤8英寸晶体,可选配CUSP磁场;拉8~12英寸晶体,可选配超导磁场;

可拉晶体直径:最大12英寸

可拉晶体类型:N型/P型;

可装热场尺寸:32英寸;

装料量:440kg 。


优点利处

应用领域:轻掺、磁控;

腔体材质:内层:进口316L不锈钢,外层: 304L不锈钢;

腔室洁净度:镜面精密抛光,适宜各重掺和轻掺的硅单晶生长;

整机优异的刚性性能;

运动部件引起的振动、冷却水湍流等方面的隔振技术;

保护气体进气:1)水冷套内外各一路, 2)副炉室顶部一路;

应用高精度气体质量流量计 + 进口真空计 + 高精度蝶阀,气体质量流量计 :流量精度:± 0.2% F.S;控压精度: ± 0.5%

并联双罐在线自动切换,气体吹扫在线清理系统;

进口称重传感器:精度在+/- 0.5kg 公斤以内;

增加相机测温和调温功能(视觉直径测量、液位测量和温度测量)

液面与导流筒的相对位置动态数据全程采集、记录;

报警和安全保护:液面异常下降、抽空口温度异常、炉内压力异常、冷却水超温、功率故障等;

在出现拉晶断棱回熔以及硅料复投等非正常拉晶工艺时,都可从系统中选择相应的自动工序来运行;

恒拉速等径控制;

引颈自动预热、熔接和调温;

有自己的整机验证、热场和长晶工艺技术验证,有基础的热场和长晶工艺;

CCz系统、及长晶工艺和控制技术,行业内领先。


交付周期

    主设备预付款到账后 90天 (辅助设备、重要辅材类视市场情况而定)


类目
硅(锗)基 半导体
研发
研发中心事业部&美国LCT
型号
KX320(A)MCZ
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